ニュースリリース

子会社の株式会社イオンテクノセンターでは、2015年9月13日～16日に開催されます
『第76回　応用物理学会　秋季学術講演会』に出展致します。
今回、山口大学の横川俊哉教授との共同研究を口頭講演致します。
詳細は以下をご参照下さい。
皆様のお越しを心よりお待ち申し上げております。
＜開催日＞ 2015年9月13日（日）～2015年9月16日（水）
＜会場＞ 名古屋国際会議場
＜展示会出展＞　2015年9月13日（日）～9月16日（水）白鳥ホール　Bm-1
＜口頭講演＞ 2015年9月16日（水）　9:45～10:00　1D会場
▼展示会出展内容
・GaN評価技術紹介
・総合分析案内
・半導体デバイス製造工程の受託サービス紹介
▼口頭講演　（山口大学との連名で発表）
・15.4 Ⅲ-V族窒化物結晶　　講演番号　16a-1D-5
・発表者　：　山口大学　横川俊哉　教授
・講演タイトル
バルクGaN表面のナノインデンテーションにおいて塑性変形の
引き金となるr面すべりの転位形成
くわしくはこちらから。